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HF200 { 2" - 70 W - 109 dB - 16 Ohm }
可用阻抗: 8 Ohm16 Ohm
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技术参数
额定阻抗 16 Ohm
最小阻抗 9.4 Ohm
AES额定功率 0.9 kHz (1) 70 W
AES额定功率 0.65 kHz 50 W
最大功率 0.9 kHz (2) 140 W
最大功率 0.65 kHz 100 W
最小分频点 (3) 0.9 kHz
灵敏度(1W/1m) (4) 109 dB
频率范围 0.5÷18 kHz
音圈直径 74 mm (2.91 in)
音圈线材
口径材料 聚酰亚胺薄膜
振膜材质
振膜形状 圆顶
音圈深度 2.45 mm (0.10 in)
磁体缝隙深度 2.8 mm (0.11 in)
磁通密度 1.95 T
磁体 钕塞冠
Re - 直流阻抗 8.2 Ohm
相位塞设计 环形
喉口角 (5) 24° 圆锥体
高音单元充气净容量 1.1 dm^3 (0.039 ft^3)
标称规格
单元喉径 50.8 mm (2 in)
整体直径 130.5 mm (5.14 in)
90° 安装孔间距直径 (4xM6) 102 mm (4.02 in)
深度 95 mm (3.74 in)
净重 3.2 kg (7.1 lb)
包装
(纸盒独立包装)
185 x 170 x 122 mm
(7.3 x 6.7 x 4.8 in)
装运重量 3.4 kg (7.5 lb)


零件序列 (P/N)
按钮端子 - 16 Ohm 阻抗版本 00743962



注:
(1) 根据 AES 2-1984 Rev. 2003 进行的2小时测试报告
(2) 比额定功率高出3dB的最大功率
(3) 12 dB/oct 或更高斜度的高波滤通器
(4) 频率范围内平均分布
(5) 相位塞嵌入与锥形号角末端相连的驱动器喉口

Quick acoustic specs
额定阻抗 16 Ohm
最小阻抗 9.4 Ohm
AES额定功率 0.9 kHz (1) 70 W
AES额定功率 0.65 kHz 50 W
最大功率 0.9 kHz (2) 140 W
最大功率 0.65 kHz 100 W
最小分频点 (3) 0.9 kHz
灵敏度(1W/1m) (4) 109 dB
频率范围 0.5÷18 kHz
音圈直径 74 mm (2.91 in)
振膜材质
振膜形状 圆顶
磁通密度 1.95 T
Re - 直流阻抗 8.2 Ohm
相位塞设计 环形



注:
(1) 根据 AES 2-1984 Rev. 2003 进行的2小时测试报告
(2) 比额定功率高出3dB的最大功率
(3) 12 dB/oct 或更高斜度的高波滤通器
(4) 频率范围内平均分布

Quick mechanical specs
单元喉径 50.8 mm (2 in)
整体直径 130.5 mm (5.14 in)
90° 安装孔间距直径 (4xM6) 102 mm (4.02 in)
深度 95 mm (3.74 in)
净重 3.2 kg (7.1 lb)
包装
(纸盒独立包装)
185 x 170 x 122 mm
(7.3 x 6.7 x 4.8 in)
装运重量 3.4 kg (7.5 lb)